类型：功率MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：200A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值）
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　功耗（Ptot）：300W
　　栅极电荷（Qg）：150nC
　　短路耐受能力：10μs（典型）
　　热阻（Rth）：0.25°C/W（结至外壳）

TM8P-88P功率MOSFET模块具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度设计。其低导通电阻确保了在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。模块内部采用了先进的芯片并联技术，以确保电流分布均匀，并提升整体的电流承载能力。此外，TM8P-88P具备良好的热管理能力，其封装设计优化了散热路径，使得模块在高负载情况下仍能维持稳定的工作温度。该模块还具有较强的短路耐受能力，能够在极端工况下提供额外的安全裕度。此外，模块的封装材料具有优异的机械强度和耐腐蚀性，适用于各种恶劣环境下的长期运行。综合这些特性，TM8P-88P是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET模块，广泛适用于工业和汽车电子领域。
　　在可靠性方面，TM8P-88P经过严格的质量测试，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于电动汽车和混合动力汽车中的功率转换系统。模块内部采用高纯度硅材料制造，并结合先进的封装技术，确保了器件在高温和高湿度环境下的稳定运行。此外，该模块具备良好的电磁兼容性（EMC），能够在高频开关应用中减少电磁干扰（EMI），从而提高系统的整体性能。模块还集成了过温保护功能，能够在温度异常升高时自动切断电流，防止器件损坏。这种集成保护机制大大提升了系统的安全性和稳定性，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。

TM8P-88P广泛应用于电动汽车（EV）驱动系统、混合动力汽车（HEV）逆变器、工业电源、太阳能逆变器、储能系统、电动工具、电机驱动器和高功率DC-DC转换器等场景。由于其优异的导热性能和高电流承载能力，它特别适合用于需要高效功率转换的场合。在电动汽车中，TM8P-88P可用于主逆变器和车载充电器（OBC）系统，以实现高效的电能转换和管理。在可再生能源领域，该模块可用于光伏逆变器，提高能源转换效率并降低系统损耗。此外，在工业自动化设备中，TM8P-88P可用于高频开关电源和电机控制电路，满足高功率需求。由于其紧凑的封装尺寸和出色的热管理能力，TM8P-88P也适用于空间受限但要求高性能的设计方案。

TK80PQ10K, STY80N10, IPB80N10S3-03, SiC MOSFET模块（如Cree的CMF300120D）