时间：2025/6/16 19:45:57
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IPB50CN10NG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装。该器件适用于需要高效率、低导通电阻和快速开关特性的应用场合。它具有较低的 Rds(on) 值，可有效降低导通损耗，同时具备良好的热性能和电气特性。
IPB50CN10NG 的典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等。其高可靠性设计确保了在严苛环境下的稳定运行。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：38nC（典型值）
输入电容：1900pF（典型值）
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IPB50CN10NG 提供了出色的电气性能和热性能：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，能够适应高频应用需求。
3. 高额定电流能力，使其适合大功率应用。
4. 良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
此外，该器件还具备较强的抗雪崩能力，增强了整体系统的鲁棒性。
IPB50CN10NG 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机控制与驱动电路。
3. 各种负载开关应用。
4. 电池管理系统的充放电保护。
5. 逆变器和 UPS 系统中的功率转换模块。
6. LED 驱动器及高效能照明设备。
这款功率 MOSFET 的高性能表现使其成为众多高功率密度应用的理想选择。
IPD50N10N,
IRF540N,
STP50NF10,
FDP50N10,
BSC051N10NS3
