CGA6N2NP02A683J230AA 是一款高性能的氮化镓(GaN)功率晶体管,采用先进的增强型 GaN 技术制造。该器件适用于高频、高效率的电力电子应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的功率密度和效率。
该器件通常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景,其封装形式为行业标准的表面贴装类型,便于自动化生产。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:70nC
开关频率:最高可达 5MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:PQFN 8x8
1. 低导通电阻设计,有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度,支持高频操作,减少磁性元件体积。
3. 高效的热管理能力,确保在高温环境下稳定运行。
4. 内置过流保护功能,提升系统可靠性。
5. 支持零电压开关(ZVS)拓扑,进一步优化效率。
6. 小尺寸封装,适合高功率密度应用需求。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电模块
4. 工业电机驱动
5. 太阳能逆变器
6. 汽车电子中的车载充电器(OBC)
CGA6N2NP02A683J230BA
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