时间：2025/8/9 19:03:14
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FMW79N60S1HF 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）设计制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高功率开关应用而设计，适用于需要高效、高可靠性和低导通电阻的电路中。由于其600V的高漏源击穿电压和较大的连续漏极电流承载能力，FMW79N60S1HF常用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、电源管理模块以及工业电机控制等应用。该MOSFET采用先进的平面工艺技术制造，具备良好的热稳定性和耐久性，并且封装形式为TO-220F，便于散热和安装。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：79A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.11Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220F
FMW79N60S1HF具有多项优良的电气和热性能。首先，其600V的漏源击穿电压使得该MOSFET适用于中高压电源转换应用，能够承受较高的电压应力。其次，最大连续漏极电流可达79A，具备良好的电流承载能力，适用于高功率负载的控制。导通电阻Rds(on)的典型值为0.11Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。
此外，该器件采用先进的平面工艺制造，具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。TO-220F封装形式不仅有助于快速散热，而且便于安装在散热片上，提高整体系统的热管理能力。
FMW79N60S1HF还具有快速开关特性，能够支持高频开关操作，适用于高效能的电源转换器设计。其栅极驱动特性较为宽泛，栅源电压范围为±30V，允许使用多种驱动电路进行控制，提高了系统设计的灵活性。
在可靠性方面，该MOSFET具备较高的耐用性和较长的使用寿命，能够满足工业级应用对稳定性和长期运行的需求。
FMW79N60S1HF广泛应用于各类高功率开关电源和电机控制电路中。常见的使用场景包括AC-DC转换器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、LED驱动电源以及工业电机控制系统。其高电压和大电流承载能力也使其成为工业自动化设备、电源适配器和高功率LED照明系统的理想选择。在这些应用中，FMW79N60S1HF能够提供高效的能量转换和稳定的运行性能。
FQA79N60C、FCH079N60F、FDPF79N60FS
