时间：2025/8/8 17:55:47
阅读：10
FMM311DG/105 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的N沟道增强型MOSFET，采用小型DFN1006封装（1.0 x 0.6 mm），适用于需要高密度布局和高性能的便携式电子产品。该器件设计用于在低电压条件下提供高效率和低导通电阻特性，非常适合电池管理、负载开关、DC-DC转换器以及信号切换等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：20V
栅极-源极电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：1.7A（在VGS=4.5V）
导通电阻（RDS(on)）：0.13Ω（在VGS=4.5V）
栅极电荷（Qg）：3.7nC
功率耗散（Ptot）：500mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
FMM311DG/105 具备出色的低导通电阻特性，这使其在低电压、高效率的开关应用中表现出色。该器件的DFN1006封装不仅体积小巧，还具备良好的热性能，能够在高密度PCB布局中有效散热。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
该MOSFET在栅极驱动电压为4.5V时即可实现较低的RDS(on)，确保在电池供电设备中能够以较低的功耗运行。FMM311DG/105还具备良好的抗静电能力和热稳定性，适用于多种严苛环境下的应用。此外，其符合RoHS标准，支持绿色环保的电子设计需求。
FMM311DG/105 广泛应用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电池管理和电源开关控制。它也常用于DC-DC降压/升压转换器、负载开关、LED驱动电路以及低电压信号切换应用。
在工业领域，该器件可应用于小型传感器模块、自动化控制电路以及低功耗物联网设备。其高可靠性和小型封装使其成为对空间和性能都有严格要求的设计方案中的理想选择。
PMV23ENP,215 | BSS138
