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IRF2804 发布时间 时间:2025/7/9 10:44:41 查看 阅读:12

IRF2804是一种N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由Vishay公司生产。它主要应用于高频、高效率的开关电源和电机驱动等场景。IRF2804以其低导通电阻和快速开关速度著称,适合用于大电流和高频操作环境。
  该器件采用TO-264封装形式,具有出色的散热性能和较高的电流处理能力。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:119A
  导通电阻:1.3mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:275W
  工作结温范围:-55°C至+175°C
  栅极电荷:49nC
  反向恢复时间:40ns

特性

IRF2804的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,能够适应高频应用场合。
  3. 高额定电流,可以承受高达119A的连续漏极电流。
  4. 较宽的工作温度范围,支持极端环境下的稳定运行。
  5. TO-264封装,提供良好的散热性能。
  6. 低栅极电荷,减少了驱动电路的能量需求。
  这些特性使得IRF2804成为高频DC-DC转换器、同步整流电路以及电机控制的理想选择。

应用

IRF2804广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. 高效DC-DC转换器。
  3. 电机驱动和逆变器。
  4. 电池充电器和负载切换。
  5. 大功率LED驱动器。
  由于其出色的性能,IRF2804在需要高效功率转换和低功耗的场景中表现优异。

替代型号

IRF2807, IRF260N

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IRF2804参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.3 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs240nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6450pF @ 25V
  • 功率 - 最大330W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF2804