时间：2025/5/12 17:28:45
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SS810C是一款N沟道小信号MOSFET，广泛应用于需要低功耗和高效率的场景。该器件采用SOT-23封装形式，适合于空间受限的应用环境。
其主要功能是通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通状态，适用于开关和功率管理应用。SS810C以其低导通电阻、快速开关速度和出色的热稳定性而闻名。
最大漏源电压Vds：50V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：0.4A
导通电阻Rds(on)：6.5Ω（在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：400mW
工作结温范围Tj：-55℃至+150℃
SS810C具有以下显著特性：
1. 小型化封装（SOT-23），适合紧凑型设计。
2. 极低的导通电阻，在低电压操作下提供更高的效率。
3. 快速开关能力，有助于减少开关损耗。
4. 高度可靠的电气性能，适用于各种消费类电子产品。
5. 良好的热稳定性和耐用性，支持长期运行。
SS810C适用于以下领域：
1. 开关电源中的负载开关和保护电路。
2. 消费类电子产品的电源管理模块。
3. 手机和平板电脑等便携式设备中的电池管理。
4. LED驱动器和背光调节。
5. 信号切换和小型继电器替代方案。
SSM3J818R, BSS138, 2SK2907
