FMH19N60E 时间：2025/8/9 16:19:01 阅读：26

FMH19N60E 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于600V系列的N沟道功率MOSFET。该型号专为高效率、高频率开关应用而设计，广泛用于电源适配器、工业电源、马达驱动、DC-DC转换器等电力电子系统中。FMH19N60E采用TO-220封装形式，具有良好的热性能和导通损耗特性，适用于高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大连续漏极电流（Id）：19A
　　最大导通电阻（Rds(on)）：约0.27Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：36nC
　　输入电容（Ciss）：1200pF
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

FMH19N60E具备低导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。
　　该器件具有较高的电流处理能力，支持高达19A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。
　　其栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频开关条件下减少开关损耗。
　　由于采用了先进的平面工艺和封装技术，FMH19N60E具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，提高了器件在恶劣工作条件下的可靠性。
　　TO-220封装形式便于安装和散热管理，适合多种PCB布局和散热器配置。

应用

FMH19N60E 常用于各种电源管理与转换系统，包括但不限于：开关电源（SMPS）、适配器、LED驱动器、马达控制电路、工业自动化设备、电池充电器、逆变器以及DC-DC转换器等。
　　由于其高耐压、高电流能力和低导通电阻的特性，该器件非常适合用于需要高效率和高可靠性的应用场合。
　　在家电和工业控制领域，FMH19N60E可作为功率开关元件，用于实现高效能的电能转换和控制。
　　此外，该MOSFET也可用于UPS（不间断电源）系统和太阳能逆变器等新能源应用中。