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AO4266E 发布时间 时间:2025/5/7 12:51:33 查看 阅读:15

AO4266E是Alpha & Omega Semiconductor(AOS)公司推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装形式,具有低导通电阻、高电流承载能力和出色的热性能等特性。AO4266E广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电池保护电路等领域。
  其设计目标是提供高效的功率转换解决方案,并在高频工作条件下减少功率损耗。

参数

型号:AO4266E
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):3.5mΩ
  ID(持续漏极电流):198A
  Qg(栅极电荷):79nC
  Ciss(输入电容):4400pF
  fMAX(最高工作频率):2MHz
  封装:TOLL

特性

AO4266E是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性如下:
  1. 极低的导通电阻RDS(on),仅3.5毫欧,在高电流应用中可显著降低传导损耗。
  2. 高额定电流ID为198A,确保在大电流场景下的稳定性。
  3. 封装采用TOLL形式,具备优良的散热性能和电气连接可靠性。
  4. 栅极电荷Qg较低,仅为79nC,有助于减少开关损耗并提升效率。
  5. 工作频率高达2MHz,非常适合高频开关应用。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。
  这些特性使AO4266E成为许多高效能功率转换电路的理想选择。

应用

AO4266E由于其优异的性能参数和可靠性,适用于以下领域:
  1. 开关电源(Switching Mode Power Supply, SMPS)
  2. DC-DC转换器中的同步整流
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动
  4. 汽车电子系统中的负载开关
  5. 大功率LED驱动器
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护电路
  在这些应用中,AO4266E凭借其低导通电阻和高电流承载能力,能够有效减少能耗并提高系统整体效率。

替代型号

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AO4266E参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.88900卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)13.5 毫欧 @ 11A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)755 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SO
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)