时间：2025/9/7 11:55:04
阅读：4
HM51W18165BLJ-6是一款由HITACHI设计的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具有高速读写性能和低功耗特性。该芯片主要用于需要高速缓存和快速数据访问的应用场景，如通信设备、工业控制系统和计算机外围设备。
容量：256Kbit
组织方式：16位×18
电源电压：3.3V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
引脚数量：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
HM51W18165BLJ-6 SRAM芯片具备高速数据存取能力，访问时间仅为5.4ns，适合对性能要求较高的系统应用。
该芯片采用低功耗设计，支持待机模式，有效降低系统功耗，提高能源利用效率。
其工作电压为3.3V，符合现代电子设备对低电压操作的需求，同时兼容TTL电平接口，方便与其他电路连接。
封装形式为TSOP，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下稳定运行。
此外，HM51W18165BLJ-6的16位×18组织方式提供了较大的数据存储容量，满足复杂系统对数据缓存的需求。
该芯片广泛应用于通信设备、路由器和交换机中的数据缓存；工业控制系统中的高速数据采集和处理；测试仪器和测量设备的临时数据存储；以及需要快速数据存取的嵌入式系统和计算机外设。
CY7C136B-555BZC、IS61WV25616BLL-10BLLI、IDT71V1216SA555BGI
