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MSASG168BB5475KTNA01 发布时间 时间:2025/6/19 14:46:44 查看 阅读:2

MSASG168BB5475KTNA01 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的高可靠性、低功耗的宇航级 SRAM(静态随机存取存储器)。该器件专为需要在极端环境条件下运行的应用设计,例如卫星、航天器和其他空间任务。它采用抗辐射加固技术制造,能够有效抵抗单粒子翻转(SEU)和总剂量辐射效应,从而确保在恶劣辐射环境下的稳定性能。
  这款 SRAM 具有高速数据访问能力和低功耗特性,非常适合用于高性能嵌入式系统和实时数据处理应用。

参数

类型:SRAM
  容量:16 Mb (2 M x 8)
  核心电压:1.8V
  接口电压:3.3V
  数据宽度:8 位
  访问时间:5 ns
  封装形式:CQFP-144
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  抗辐射能力:≥ 100 krad (Si)
  单粒子翻转缓解:Yes

特性

MSASG168BB5475KTNA01 提供了卓越的抗辐射能力,通过采用先进的工艺技术使其能够在高辐射环境下正常工作。该芯片具有快速的数据访问速度,支持高达 5ns 的访问时间,同时具备较低的功耗表现。其宽泛的工作温度范围使其适合各种极端条件下的使用需求。
  此外,该 SRAM 芯片内置错误检测与纠正功能,进一步提高了数据存储的可靠性。由于采用了 CQFP-144 封装,它具有良好的信号完整性和散热性能。整体设计优化使其成为宇航级应用的理想选择。

应用

该芯片广泛应用于航空航天领域,包括但不限于卫星通信系统、导航设备、遥感仪器以及深空探测器等。它可以作为高性能处理器的外部存储器,用于缓存关键任务数据或存储临时计算结果。
  除了传统的空间应用外,MSASG168BB5475KTNA01 还可以用于地面高辐射环境中的特殊工业控制和科学实验场景,如核反应堆监控系统、粒子加速器控制装置等。

替代型号

MSASG168BB5475KTNB01

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MSASG168BB5475KTNA01参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.83538卷带(TR)
  • 系列MSAS
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容4.7 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定35V
  • 温度系数X5R
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.039"(1.00mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-