MSASG168BB5475KTNA01 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的高可靠性、低功耗的宇航级 SRAM(静态随机存取存储器)。该器件专为需要在极端环境条件下运行的应用设计,例如卫星、航天器和其他空间任务。它采用抗辐射加固技术制造,能够有效抵抗单粒子翻转(SEU)和总剂量辐射效应,从而确保在恶劣辐射环境下的稳定性能。
这款 SRAM 具有高速数据访问能力和低功耗特性,非常适合用于高性能嵌入式系统和实时数据处理应用。
类型:SRAM
容量:16 Mb (2 M x 8)
核心电压:1.8V
接口电压:3.3V
数据宽度:8 位
访问时间:5 ns
封装形式:CQFP-144
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
抗辐射能力:≥ 100 krad (Si)
单粒子翻转缓解:Yes
MSASG168BB5475KTNA01 提供了卓越的抗辐射能力,通过采用先进的工艺技术使其能够在高辐射环境下正常工作。该芯片具有快速的数据访问速度,支持高达 5ns 的访问时间,同时具备较低的功耗表现。其宽泛的工作温度范围使其适合各种极端条件下的使用需求。
此外,该 SRAM 芯片内置错误检测与纠正功能,进一步提高了数据存储的可靠性。由于采用了 CQFP-144 封装,它具有良好的信号完整性和散热性能。整体设计优化使其成为宇航级应用的理想选择。
该芯片广泛应用于航空航天领域,包括但不限于卫星通信系统、导航设备、遥感仪器以及深空探测器等。它可以作为高性能处理器的外部存储器,用于缓存关键任务数据或存储临时计算结果。
除了传统的空间应用外,MSASG168BB5475KTNA01 还可以用于地面高辐射环境中的特殊工业控制和科学实验场景,如核反应堆监控系统、粒子加速器控制装置等。
MSASG168BB5475KTNB01