类型：SiC MOSFET双管模块
　　最大漏极电流（ID）：150A
　　漏源极击穿电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+175°C
　　封装形式：双列直插式（Dual Side Cooling）
　　热阻（Rth）：约0.25K/W（结至壳）
　　封装尺寸：约62.0mm x 109.0mm x 8.5mm

FMG2G150US60EA模块基于碳化硅材料，具备优异的物理和电学性能。首先，其高击穿电场强度使得器件能够在更高的电压下工作，适用于600V级别的高功率系统。其次，SiC材料的宽禁带特性显著降低了导通损耗和开关损耗，提升了整体系统效率。此外，该模块的双列直插式封装设计支持双面散热，有效降低热阻，提升散热效率，从而提高模块的热稳定性和可靠性。
　　模块内部集成的两个SiC MOSFET芯片采用优化的芯片布局和连接方式，降低了寄生电感，提升了开关性能，减少了电磁干扰（EMI）。其低导通电阻（RDS(on)）进一步降低了导通损耗，适用于高频开关应用。该模块还具备良好的短路耐受能力和过流保护性能，增强了系统的安全性和稳定性。
　　在制造工艺方面，FMG2G150US60EA采用先进的封装技术和高可靠性材料，如银烧结技术或高温焊料，确保在高温和高湿环境下仍能稳定运行。模块的封装材料具备高绝缘等级，符合UL 94 V-0防火标准，满足工业和汽车应用的严格要求。

FMG2G150US60EA主要应用于高功率密度、高效率的电力电子系统中。在电动汽车领域，该模块可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电驱系统中的逆变器，提升整车能效并减小系统体积。在充电桩系统中，该模块支持高功率输出和快速充电，满足直流快充站的需求。在工业电源方面，FMG2G150US60EA适用于服务器电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器和储能系统等，显著提高电源转换效率和系统可靠性。此外，该模块还可用于家电中的变频控制系统，如空调和洗衣机的电机驱动系统。

CMF20120D（Wolfspeed）、BSM150D12P2E007S（Infineon）、SCT3045KL（ROHM）