类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

SSS5N80C具有较低的导通电阻，能够在高电压环境下保持较低的功率损耗，提高系统的整体效率。其800V的漏源击穿电压使其适用于高电压输入的电源系统，如AC-DC电源适配器、开关电源和LED驱动电源等。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在较高温度环境下稳定工作。TO-220封装形式提供了良好的散热性能，适用于中高功率应用。SSS5N80C还具有较快的开关速度，适用于高频开关电路，能够减少开关损耗，提高转换效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V~20V之间工作良好，兼容常见的MOSFET驱动电路。同时，其栅极电荷较低，有助于减少驱动损耗，提高系统响应速度。
　　在安全性和保护方面，SSS5N80C具备一定的抗静电能力和过热保护特性，能够在非理想工作条件下提供较好的稳定性。

SSS5N80C广泛应用于各类电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、LED照明驱动器、电池充电器和DC-DC转换器等。此外，该器件也常用于电机控制、电磁炉、智能电表以及工业自动化控制系统中的负载开关和功率调节模块。
　　由于其高耐压和中等电流能力，SSS5N80C也适用于需要较高电压隔离和稳定性的家电控制电路，如电风扇、电热水壶等小家电的调速和功率控制模块。

KSC5N80C, STF5N80, FQP5N80C, 2SK2289