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GA0805H563KBABR31G 发布时间 时间:2025/5/29 21:22:34 查看 阅读:14

GA0805H563KBABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺,主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,适用于需要高效能和快速切换的电子电路设计。其封装形式和电气特性使其非常适合于高频DC-DC转换器和其他功率转换应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:56A
  导通电阻:2.9mΩ
  栅极电荷:78nC
  总电容:2480pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA0805H563KBABR31G具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,确保高效的功率传输。
  2. 高速开关能力,减少开关损耗。
  3. 出色的热稳定性,适合高温工作环境。
  4. 强大的抗静电能力(ESD),提高器件可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。
  6. 可靠的电气性能,适用于多种工业级和消费级应用。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关或同步整流元件。
  2. 各类电机驱动系统,例如直流无刷电机(BLDC)控制。
  3. 汽车电子设备中的负载开关和保护电路。
  4. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理模块。
  5. 工业自动化设备中的功率调节和转换组件。
  6. 快速充电器及适配器中的高效功率开关元件。

替代型号

GA0805H563KBABR21G, IRF540N, FDP5500NL

GA0805H563KBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.056 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-