时间：2025/7/30 0:00:51
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UDQ6118HMIL 是一款由 United Dynamics 生产的高精度、高性能的电子元器件，广泛用于电源管理、功率控制以及信号调节等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有高效能、低功耗、高稳定性和可靠性等特点。其设计适用于工业控制、通信设备、消费电子以及汽车电子等多种应用场景。
类型：功率MOSFET
封装：TO-263（D2PAK）
最大漏源电压（Vds）：150V
最大连续漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：130nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
最大功耗：100W
漏源击穿电压：150V
栅极驱动电压：10V
UDQ6118HMIL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有极低的导通电阻和高电流承载能力，使其在高功率应用中表现出色。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体效率。此外，UDQ6118HMIL 的热阻较低，能够在高温环境下保持良好的热稳定性，确保长期运行的可靠性。
该器件的封装形式为 TO-263（D2PAK），便于安装在 PCB 上，并具有良好的散热性能。由于其高耐压能力和大电流特性，UDQ6118HMIL 非常适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统（BMS）、电源开关和负载管理等应用。
UDQ6118HMIL 还具有出色的抗雪崩击穿能力和过载保护功能，能够在严苛的工作条件下提供稳定的性能。其栅极驱动电压为 10V，能够与多种驱动电路兼容，简化了设计和应用过程。
UDQ6118HMIL 常用于各种高功率电子系统中，包括工业自动化设备、伺服电机控制、电动工具、电池供电设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电动汽车充电模块以及高性能电源管理系统。其高效率和可靠性使其成为许多高性能电源应用的首选器件。
SiHF6118-E3, IRF6118PbF, FDP6118, IPP6118N15N3
