2CR-1-3N 时间：2025/9/20 15:29:18 阅读：8

2CR-1-3N 是一款双极性硅晶体二极管阵列器件，通常用于高密度、小尺寸的电子电路设计中。该器件集成了两个独立的整流二极管，采用共阴极（Common Cathode）配置，封装形式多为SOT-23或类似的小型表面贴装封装，适用于空间受限的便携式电子产品。2CR-1-3N 的命名方式可能因制造商而异，其中“2CR”表示双二极管（Two Crystal Rectifier），“1”可能代表电压等级或系列编号，“3N”则可能指代特定的封装类型或产品变种。该器件广泛应用于电源管理、信号解调、电压倍增、极性保护和电平转换等场景。由于其小型化设计和良好的电气性能，2CR-1-3N 特别适合高频开关电源、消费类电子设备、通信模块以及便携式仪器仪表中的整流与保护功能。该器件在制造工艺上采用先进的平面技术，确保了稳定的反向击穿电压和较低的正向导通压降，从而提升了整体能效和系统可靠性。此外，2CR-1-3N 具备良好的温度稳定性，可在较宽的工作温度范围内保持一致的电气特性，适合工业级应用环境。

参数

类型：双二极管（共阴极）
　　最大重复反向电压（VRRM）：100 V
　　最大均方根电压（VRMS）：70 V
　　最大直流阻断电压（VDC）：100 V
　　最大正向整流电流（IF(AV)）：300 mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：5 A
　　正向压降（VF）：1.0 V @ 150 mA
　　反向漏电流（IR）：5 μA @ 100 V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

2CR-1-3N 双二极管阵列的核心特性之一是其共阴极结构设计，这种配置使得两个阳极共享一个公共阴极端子，非常适合于全波整流、电压倍增器以及需要对称二极管配置的应用场合。该结构不仅简化了PCB布局布线，还减少了外部元件数量，提高了系统的集成度和可靠性。每个二极管均具备高达100V的反向耐压能力，能够安全地应对大多数低压直流电源系统中的瞬态过压情况，适用于12V、24V乃至48V供电系统中的保护与整流需求。
　　该器件采用硅半导体材料和平面工艺制造，具有优异的热稳定性和长期可靠性。其正向导通压降典型值为1.0V，在150mA工作电流下表现出较低的功耗，有助于提升整体能效。同时，低至5μA的反向漏电流确保了在高温环境下仍能维持良好的阻断性能，避免不必要的静态功耗增加。器件的最大平均整流电流为300mA，支持连续工作的中小功率应用，并可承受最高达5A的非重复浪涌电流，增强了对输入端瞬态冲击的耐受能力。
　　SOT-23封装使2CR-1-3N 成为高度紧凑型设计的理想选择，特别适用于手机、蓝牙耳机、无线传感器节点、USB充电模块等对体积敏感的产品。其表面贴装特性便于自动化贴片生产，符合现代电子制造的高效率要求。此外，该器件通过了多项国际环保认证，符合RoHS指令要求，无铅且绿色环保。2CR-1-3N 还具备优良的ESD抗扰度，能够在装配和使用过程中抵抗一定程度的静电放电，降低损坏风险。综合来看，这款双二极管以其高集成度、小尺寸、稳定电气性能和宽温工作能力，在现代电子系统中扮演着关键角色。

应用

2CR-1-3N 被广泛应用于多种电子系统中，尤其在需要高效、小型化二极管解决方案的场合表现突出。常见应用包括便携式消费类电子产品中的电源整流与极性保护，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，在这些设备中用于防止电池反接或外部电源异常导致的损坏。此外，它也常用于AC-DC转换器中的次级侧整流环节，特别是在低功率适配器和充电器中实现半波或全波整流功能。
　　在信号处理领域，2CR-1-3N 可作为包络检波器使用，广泛应用于AM收音机、红外接收模块和无线遥控接收电路中，用于提取调制信号的原始信息。其快速响应特性和低结电容使其能够有效捕捉高频载波信号并还原基带信号。在电压倍增电路（如Cockcroft-Walton倍压器）中，该器件可用于构建多级升压结构，将较低的交流输入电压升高为较高的直流输出电压，适用于光电倍增管、高压偏置电源等特殊应用场景。
　　工业控制与通信设备中，2CR-1-3N 常被用作I/O端口的钳位保护二极管，防止因感应电压或静电放电造成微控制器或逻辑电路损坏。其共阴极结构非常适合用于双通道信号隔离与电平转换电路，尤其是在数字接口（如UART、I2C）中提供双向保护。此外，在LED驱动电路中，它可以作为防倒灌二极管使用，防止电流回流损坏驱动芯片。总之，凭借其高集成度、可靠性和紧凑封装，2CR-1-3N 在现代电子设计中具有广泛的适用性。