FMBG14L 是一款由富士通(Fujitsu)生产的电子元器件,主要用于电源管理和功率转换应用。它是一种MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,具有高效的电能转换能力和较低的导通电阻。该器件适用于多种高功率密度应用场景,如电源供应器、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制电路。FMBG14L 采用先进的封装技术,确保在高温和高负载环境下依然保持稳定的性能。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):140A(在25°C)
最大漏源电压(VDS):40V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值为4.2mΩ(在VGS=10V)
封装类型:PowerPAK SO-8双封装
工作温度范围:-55°C至175°C
FMBG14L 具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在大电流应用中功率损耗的最小化,从而提高整体效率并减少散热需求。此外,该器件采用了先进的PowerPAK SO-8双封装技术,这种封装不仅提供了良好的热管理性能,还减少了PCB空间的占用,适合高密度设计。
其次,FMBG14L 的额定漏极电流高达140A,在高温环境下依然能够维持稳定的运行,表现出良好的热稳定性。这使得它非常适合用于需要高电流和高可靠性的应用场合,例如服务器电源、电信设备和工业控制系统。
此外,该MOSFET具有较高的栅极电压耐受能力(±20V),能够在不同的驱动条件下保持良好的性能。其宽泛的工作温度范围(-55°C至175°C)也确保了其在极端环境下的可靠运行,适用于汽车电子和工业自动化等严苛应用环境。
最后,FMBG14L 的设计还考虑了易用性和兼容性,与常见的MOSFET驱动电路兼容,便于工程师在设计过程中进行集成和替换。
FMBG14L 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理系统中,它常用于同步整流、DC-DC转换器和负载开关等电路,以提高效率并减少发热。在服务器和电信设备中,FMBG14L 可用于高效电源模块的设计,确保在高负载条件下依然保持稳定输出。
此外,该器件也适用于电机控制和功率放大器设计,特别是在需要大电流驱动能力的场合,如电动汽车的辅助电源系统和工业自动化设备中的执行机构控制。
由于其优异的热性能和可靠性,FMBG14L 还被广泛用于电池管理系统(BMS)中,作为高侧或低侧开关,用于控制电池充放电过程,确保系统的安全运行。
最后,在消费类电子产品中,如高性能笔记本电脑、游戏主机和高端外设设备中,FMBG14L 也常用于优化电源管理,提升设备的能效表现。
SiR142DP-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5A, IPB041N04NG