时间：2025/4/3 15:21:48
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GRT1555C1H120GA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于高效率、高频率的开关应用。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术，能够显著降低导通电阻和开关损耗，从而提升整体系统性能。
此型号属于增强型N沟道MOSFET，适用于广泛的工业和消费类电子产品中，例如适配器、充电器、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
额定电压：650V
额定电流：120A
导通电阻（最大）：1.2mΩ
栅极电荷（典型值）：380nC
连续漏极电流：120A
功耗：40W
封装形式：TO-247
GRT1555C1H120GA02D具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，能够在高频工作条件下提供出色的效率表现。同时，其优化的热设计使得散热性能更加优越，可以有效延长器件寿命。
此外，该MOSFET还具备快速的开关速度和较低的米勒电容，有助于减少开关损耗并提高系统的动态响应能力。
其650V的耐压等级确保了在高压环境下的稳定运行，特别适合需要处理较高电压的应用场景。
该产品符合RoHS标准，并且经过严格的可靠性测试，保证了长期使用的稳定性与一致性。
1. 开关电源(SMPS) 和 AC-DC 转换器
2. 工业电机驱动和控制
3. 太阳能逆变器及储能系统
4. 电动车充电桩及车载电子设备
5. 高效 DC-DC 转换模块
由于其强大的电流承载能力和高耐压性能，这款MOSFET在需要高功率密度和高可靠性的场合表现出色。
GRT1555C1H120GA01D
IRFP460
FQP17N65C
STP120N65K5
