VN820B5 时间：2025/4/28 17:27:17 阅读：5

VN820B5是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管，主要用于开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力，适用于各种工业和消费类电子产品中的电源转换和电机驱动等场景。

参数

型号：VN820B5
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：TO-220
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：130A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ(典型值，Vgs=10V)
　　总功耗(Ptot)：150W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃

特性

VN820B5采用了超低导通电阻设计，显著降低了功率损耗，提升了系统效率。
　　其具备较高的电流承载能力，适合于大功率应用环境。
　　此外，VN820B5还具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行，并且拥有快速的开关速度，减少了开关损耗。
　　器件内置了静电防护功能，增强了在实际使用中的可靠性。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，VN820B5非常适合用于高频开关电源、直流-直流转换器以及电动工具等场合。

应用

VN820B5广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关模式电源(SMPS)，例如适配器、充电器等。
　　2. 直流-直流转换器，用于电压调节和电源管理。
　　3. 电机驱动，特别是需要高效率和高电流输出的应用。
　　4. 电动工具和其他便携式设备中的功率控制。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。