时间：2025/12/26 20:01:10
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MTP8N10是一款由Magnachip Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源以及电机控制等中低压高效率场景。该器件采用先进的平面场效应技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高输入阻抗和快速开关响应的特点，能够在相对较低的栅极驱动电压下实现高效的功率控制。MTP8N10的命名中，“MTP”代表产品系列，“8”表示其典型连续漏极电流能力约为8A，“N”代表N沟道类型，“10”则指其漏源击穿电压为100V。这使得MTP8N10适用于需要耐受较高电压冲击同时保持低功耗的应用场合。
MTP8N10通常封装在TO-220或TO-252（DPAK）等标准功率封装中，具有良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热片上以提高长期运行的可靠性。由于其优良的电气特性和成本效益，该器件在消费电子、工业控制、照明电源及适配器等领域得到了广泛应用。此外，MTP8N10具备较强的抗雪崩能力和过载保护特性，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。为了充分发挥其性能优势，在实际应用中建议配合合适的栅极驱动电路，并注意PCB布局中的寄生电感抑制与热管理设计。
型号：MTP8N10
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25℃：8A
脉冲漏极电流（IDM）：32A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：0.85Ω 最大
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：1.2Ω 最大
阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：600pF 典型值
输出电容（Coss）：140pF 典型值
反向恢复时间（trr）：25ns 典型值
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220 / TO-252 (DPAK)
