时间：2025/12/25 12:14:04
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KDZVTR3.9B是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的表面贴装齐纳二极管，主要用于电压参考和稳压应用。该器件属于KDZ系列的一部分，该系列以其高精度、稳定性和可靠性而著称，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。KDZVTR3.9B的标称齐纳电压为3.9V，在规定的测试电流下具有较小的容差范围，确保输出电压的稳定性。该器件采用SOD-123FL小型封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，适用于空间受限的高密度PCB设计。其结构基于硅PN结的反向击穿特性，能够在宽温度范围内保持稳定的电压调节能力，适合在-55°C至+150°C的工作结温下运行。由于其低动态阻抗和低噪声特性，KDZVTR3.9B常被用于模拟电路中的基准源或数字系统的电源监控单元。此外，该器件还具备良好的长期电压稳定性，减少了因老化导致的性能漂移问题。
型号：KDZVTR3.9B
制造商：ROHM Semiconductor
齐纳电压（标称值）：3.9 V
齐纳电压容差：±2%
测试电流（IZT）：5 mA
最大齐纳阻抗（Zz）：20 Ω
最大功耗：200 mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOD-123FL
极性：单齐纳
KDZVTR3.9B具备出色的电压稳定性和温度特性，其核心优势在于±2%的高精度电压容差，这使得它在需要精确参考电压的应用中表现出色。该器件在5mA的标准测试电流下工作时，能够提供稳定的3.9V输出电压，并且其动态阻抗低至20Ω，有效抑制了负载变化对输出电压的影响。这种低阻抗特性使其在面对瞬态电流波动时仍能维持电压恒定，从而提高系统整体的稳定性。
KDZVTR3.9B采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，外形尺寸仅为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，非常适合高密度印刷电路板布局，尤其适用于便携式电子设备和小型化模块设计。该封装具有优良的散热性能，结合200mW的最大功耗能力，可在较宽的环境温度范围内可靠运行。器件的工作结温范围从-55°C到+150°C，覆盖了大多数工业与消费类应用场景，包括高温环境下的长期运行需求。
该齐纳二极管还展现出优异的长期稳定性，经过老化处理后电压漂移极小，保障了产品在整个生命周期内的性能一致性。同时，其低噪声特性使其适用于敏感的模拟前端电路，如ADC参考源、传感器信号调理电路等。ROHM在制造过程中采用了严格的品质控制流程，确保每批产品的电气参数高度一致，提升了批量生产的良率和可靠性。此外，KDZVTR3.9B符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对绿色环保的要求。
KDZVTR3.9B广泛应用于需要稳定参考电压的各类电子系统中。常见用途包括作为模拟电路中的电压基准，例如在运算放大器配置、ADC/DAC参考源以及传感器偏置电路中提供精准的3.9V电平。由于其良好的温度稳定性和低动态阻抗，该器件也常用于电源管理电路中，实现低压稳压功能，尤其是在没有专用线性稳压IC的小功率场景下发挥重要作用。
在数字系统中，KDZVTR3.9B可用于复位电路或电压监测单元，确保MCU或其他逻辑器件在电源建立期间获得正确的启动条件。此外，它也可用于ESD保护电路或输入箝位结构中，防止过压对后续电路造成损害。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，因其小型化封装和高效能表现，成为理想的电压参考解决方案。
工业控制领域中，该器件用于PLC模块、数据采集系统和仪器仪表中，提供可靠的基准电压以保证测量精度。通信设备如路由器、交换机的接口电路中，KDZVTR3.9B可用于电平转换或偏置设置。此外，在汽车电子辅助系统（非关键安全系统）中也有应用潜力，如车载信息娱乐系统的电源监控部分。总之，任何需要紧凑、稳定且低成本电压参考的设计均可考虑使用KDZVTR3.9B。
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"KDZVTR3.9",
"MM3Z3V9T1G",
"BZT52C3V9",
"MAZ390",
"SZMM3Z3V9-T1"
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