FM810RS3X-NL 时间：2025/8/25 0:17:41 阅读：7

FM810RS3X-NL 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）设计的双N沟道MOSFET，采用3引脚S3X封装。这款MOSFET专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计，适用于电源管理和负载开关等场景。由于其高集成度和优异的电气性能，该器件在工业控制、消费电子和通信设备中得到广泛应用。

参数

类型：MOSFET（双N沟道）
　　漏极电流（Id）：5.5A
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：S3X

特性

FM810RS3X-NL 具有多个关键特性，使其在各种应用中表现出色。首先，该MOSFET采用了双N沟道设计，使得在同一封装中能够实现两个独立的MOSFET器件，从而提高了电路的集成度并减少了PCB空间的占用。其导通电阻（Rds(on)）的典型值为80mΩ，确保了在高电流条件下的低功耗和高效能。
　　此外，该器件的漏极电流额定值为5.5A，漏源电压为20V，能够满足大多数低压电源管理应用的需求。栅源电压的最大额定值为±12V，提供了良好的栅极控制稳定性，同时避免了因栅极过压而导致的器件损坏。在功率耗散方面，FM810RS3X-NL 的额定值为2.5W，支持其在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性。