时间：2025/9/2 5:52:41
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H5TQ4G63EFR-TECR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器主要用于高性能计算设备、嵌入式系统、消费类电子产品和工业应用，提供高速的数据读写能力，支持现代电子设备对内存性能的高要求。该器件采用FBGA封装，尺寸紧凑，适用于空间受限的设计。
存储类型：DRAM
容量：4Gbit（256M x 16）
电压：2.3V - 3.6V
封装：FBGA（84-TFBGA）
接口类型：异步
工作温度：-40°C ~ +85°C
频率：166MHz
数据速率：10ns
组织结构：x16
H5TQ4G63EFR-TECR 是一款异步DRAM芯片，具备低功耗设计，适合电池供电设备和低功耗应用场景。其异步接口无需时钟同步，简化了控制器设计，降低了系统复杂度。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有助于延长数据保存时间并减少功耗。
该器件具有宽温工作范围（-40°C至+85°C），适用于工业级环境。FBGA封装形式提供了良好的电气性能和散热能力，同时节省了PCB空间，提高了系统的整体稳定性。
这款DRAM芯片广泛用于网络设备、打印机、图像处理设备、嵌入式系统和消费电子产品，如智能电视和机顶盒等。
H5TQ4G63EFR-TECR 常见于需要中等容量内存的系统，如网络路由器、打印机、嵌入式控制器、工业计算机、消费电子产品（如智能电视、机顶盒）、图像处理设备等。其低功耗和宽温特性也使其适用于户外设备和工业自动化应用。
H5TQ4G63AFR-H92C, H5TQ4G63FFR-82C, H5TQ4G63EFR-82C
