FM31N223J101EPG 是一款基于铁电随机存取存储器(FRAM)技术的非易失性存储芯片,由富士通(Fujitsu)生产。该芯片结合了 FRAM 的高速写入、低功耗和高耐用性特点,适用于需要频繁数据记录、实时存储和高可靠性的应用环境。
FRAM 技术与传统 EEPROM 和闪存相比,具有更快的写入速度、更低的功耗以及更高的读写耐久性,使其在工业控制、医疗设备、汽车电子和消费类电子产品中得到广泛应用。
容量:256Kb (32K x 8)
接口类型:SPI
工作电压:1.7V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:TSSOP-8
数据保存时间:超过10年
读写耐久性:高达10^12 次
FM31N223J101EPG 具有以下主要特性:
1. 高速写入能力:无需页面擦除操作,可直接进行数据写入,显著提高数据记录效率。
2. 超低功耗:FRAM 技术在写入时消耗极低的能量,适合电池供电设备。
3. 极高的读写耐久性:支持高达10万亿次的读写周期,远超传统 EEPROM 和闪存。
4. 非易失性存储:即使断电后,数据也能长期保存。
5. 宽工作电压范围:支持从1.7V到3.6V的工作电压,适应多种电源系统。
6. SPI 接口:兼容标准 SPI 协议,易于集成到现有系统中。
7. 工业级温度范围:能够在极端环境下稳定运行,适用于恶劣条件下的应用。
FM31N223J101EPG 广泛应用于以下领域:
1. 工业控制:如数据采集模块、PLC 存储等。
2. 医疗设备:例如监护仪、血糖仪中的关键数据记录。
3. 汽车电子:用于事件数据记录器(EDR)、轮胎压力监测系统(TPMS)等。
4. 消费类电子产品:包括家用电器的状态记忆功能和便携式设备的数据存储。
5. 计量仪表:智能电表、水表和燃气表中的历史数据存储。
6. 物联网(IoT):传感器节点的本地数据缓存和日志记录。
MB85RS256A-MNE-Y5E, CAT25FR020AI-GJE