时间：2025/7/10 15:55:35
阅读：11
GA1206A1R0DXCBC31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 生产的碳化硅 (SiC) 基肖特基二极管。该器件采用先进的 SiC 技术制造，具有高效率、高速开关和耐高温的特点，非常适合用于高频功率转换应用。其设计优化了正向电压和反向漏电流之间的平衡，从而提供卓越的性能表现。
这款二极管的主要特点包括低正向压降、高工作温度范围以及出色的热稳定性和可靠性。此外，其封装形式支持表面贴装技术 (SMD)，使其适合自动化装配生产线GA1206A1R0DXCBC31G
类型：肖特基二极管
材料：碳化硅 (SiC)
最大正向电流：6 A
峰值反向电压：1200 V
正向电压：≤1.45 V（典型值 1.25 V @ 6 A）
反向恢复时间：≤25 ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装：DPAK (TO-252)
功耗：取决于电路条件
1. 采用碳化硅 (SiC) 材料制造，具备更高的击穿电场强度和导热性。
2. 高速开关能力，反向恢复时间极短，有助于减少开关损耗。
3. 超低正向压降，能够提高系统效率。
4. 支持高达 175°C 的工作结温，适用于高温环境下的应用。
5. 表面贴装封装设计，简化了生产流程并提高了可靠性。
6. 反向漏电流较低，在高温下仍能保持良好的性能稳定性。
7. 提供长期可靠的运行能力，适合工业及汽车级应用需求。
GA1206A1R0DXCBC31G 主要应用于高频功率转换场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的整流和续流功能。
2. 太阳能逆变器中的直流-交流转换。
3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器。
4. 工业电机驱动器和变频器中的功率管理。
5. 不间断电源 (UPS) 系统中的关键功率元件。
6. LED 驱动电源和其他高效能电子设备。
GA1206A1R0DXCBC30G
GB1206A1R0DXCBC31G
GX1206A1R0DXCBC31G
