时间：2025/7/1 22:09:28
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HH18N4R7C500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，广泛应用于高频电源转换和功率管理领域。该芯片采用先进的封装技术，具有高效率、低损耗和高频率响应等特性，适用于工业级和消费电子级应用。
型号：HH18N4R7C500CT
类型：GaN 功率开关
最大漏源电压（Vds）：650V
持续漏极电流（Id）：4.7A
导通电阻（Rds(on)）：70mΩ
栅极电荷（Qg）：30nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
HH18N4R7C500CT 是一种高性能 GaN 器件，具备以下主要特点：
1. 高开关频率支持：可实现 MHz 级别的开关操作，减少磁性元件体积并提高系统效率。
2. 极低的导通电阻：70mΩ 的 Rds(on) 显著降低了传导损耗，提升整体性能。
3. 快速开关速度：极小的栅极电荷和输出电荷使得开关损耗降至最低。
4. 耐热性能优越：能够承受高达 150℃ 的结温，适合高温环境下的运行。
5. 安全可靠：内置多重保护机制，如过流保护、短路保护和过温保护功能。
HH18N4R7C500CT 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- AC/DC 转换器
- DC/DC 转换器
2. 无线充电设备：
- 高效无线充电发射端
3. 工业电机驱动：
- 高频逆变器
- PWM 控制电路
4. 充电器与适配器：
- 快速充电解决方案
5. 太阳能微型逆变器：
- 提供高效的能量转换能力
HH18N6R5C650CT
STGGH65D040K-E
GAN063-650WSA
