HH18N4R7C500CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,广泛应用于高频电源转换和功率管理领域。该芯片采用先进的封装技术,具有高效率、低损耗和高频率响应等特性,适用于工业级和消费电子级应用。
型号:HH18N4R7C500CT
类型:GaN 功率开关
最大漏源电压(Vds):650V
持续漏极电流(Id):4.7A
导通电阻(Rds(on)):70mΩ
栅极电荷(Qg):30nC
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247
HH18N4R7C500CT 是一种高性能 GaN 器件,具备以下主要特点:
1. 高开关频率支持:可实现 MHz 级别的开关操作,减少磁性元件体积并提高系统效率。
2. 极低的导通电阻:70mΩ 的 Rds(on) 显著降低了传导损耗,提升整体性能。
3. 快速开关速度:极小的栅极电荷和输出电荷使得开关损耗降至最低。
4. 耐热性能优越:能够承受高达 150℃ 的结温,适合高温环境下的运行。
5. 安全可靠:内置多重保护机制,如过流保护、短路保护和过温保护功能。
HH18N4R7C500CT 主要用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):
- AC/DC 转换器
- DC/DC 转换器
2. 无线充电设备:
- 高效无线充电发射端
3. 工业电机驱动:
- 高频逆变器
- PWM 控制电路
4. 充电器与适配器:
- 快速充电解决方案
5. 太阳能微型逆变器:
- 提供高效的能量转换能力
HH18N6R5C650CT
STGGH65D040K-E
GAN063-650WSA