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HH18N4R7C500CT 发布时间 时间:2025/7/1 22:09:28 查看 阅读:6

HH18N4R7C500CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,广泛应用于高频电源转换和功率管理领域。该芯片采用先进的封装技术,具有高效率、低损耗和高频率响应等特性,适用于工业级和消费电子级应用。

参数

型号:HH18N4R7C500CT
  类型:GaN 功率开关
  最大漏源电压(Vds):650V
  持续漏极电流(Id):4.7A
  导通电阻(Rds(on)):70mΩ
  栅极电荷(Qg):30nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-247

特性

HH18N4R7C500CT 是一种高性能 GaN 器件,具备以下主要特点:
  1. 高开关频率支持:可实现 MHz 级别的开关操作,减少磁性元件体积并提高系统效率。
  2. 极低的导通电阻:70mΩ 的 Rds(on) 显著降低了传导损耗,提升整体性能。
  3. 快速开关速度:极小的栅极电荷和输出电荷使得开关损耗降至最低。
  4. 耐热性能优越:能够承受高达 150℃ 的结温,适合高温环境下的运行。
  5. 安全可靠:内置多重保护机制,如过流保护、短路保护和过温保护功能。

应用

HH18N4R7C500CT 主要用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - AC/DC 转换器
   - DC/DC 转换器
  2. 无线充电设备:
   - 高效无线充电发射端
  3. 工业电机驱动:
   - 高频逆变器
   - PWM 控制电路
  4. 充电器与适配器:
   - 快速充电解决方案
  5. 太阳能微型逆变器:
   - 提供高效的能量转换能力

替代型号

HH18N6R5C650CT
  STGGH65D040K-E
  GAN063-650WSA

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HH18N4R7C500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.04987卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容4.7 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-