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IRLL2705TR 发布时间 时间:2025/7/1 23:19:22 查看 阅读:21

IRLL2705TR是一款由英飞凌(Infineon)推出的增强型N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用小型TO-252封装,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种功率转换应用,例如DC-DC转换器、电源管理模块以及电机驱动电路等。其低导通电阻特性使其在高频开关应用中表现出色,同时有助于减少功率损耗。
  IRLL2705TR的最大工作电压为60V,能够承受较高电压的工作环境,且其阈值电压较低,非常适合由低电压信号直接驱动的应用场景。

参数

最大漏源极电压:60V
  最大连续漏电流:19A
  最大漏源导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:8nC
  总功耗:26W
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-252

特性

IRLL2705TR的主要特性包括:
  1. 低导通电阻:仅为3.5mΩ,能够显著降低功率损耗,提升效率。
  2. 高开关速度:得益于较小的栅极电荷(8nC),可实现快速开关,适合高频应用。
  3. 较低的阈值电压:支持逻辑电平驱动,简化了驱动电路设计。
  4. 良好的热性能:能够在高温环境下稳定运行,工作结温高达+175℃。
  5. 小型化封装:采用TO-252封装,节省PCB空间,便于布局。
  6. 高可靠性:符合工业级标准,经过严格的质量测试,确保长期使用的稳定性。

应用

IRLL2705TR适用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  3. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  4. 电机驱动电路中的功率控制开关。
  5. 工业自动化设备中的负载切换。
  6. 汽车电子系统中的功率管理组件。
  7. 便携式电子设备中的高效功率转换模块。

替代型号

IRLZ24N, IRLR2704TRPBF

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IRLL2705TR参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 3.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds870pF @ 25V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称*IRLL2705TRIRLL2705CT