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FJ55X472K302EFG 发布时间 时间:2025/7/1 8:28:35 查看 阅读:8

FJ55X472K302EFG是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够显著提升系统的整体效能。
  这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动,广泛用于需要高效能和高可靠性的电子电路中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  额定电压:650V
  额定电流:40A
  导通电阻:2.5mΩ
  最大功耗:180W
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃至175℃
  栅极阈值电压:2.1V至4.5V

特性

FJ55X472K302EFG的核心优势在于其低导通电阻设计,这使得器件在高电流应用中能够有效减少功率损耗并提高效率。
  此外,它还具有较高的雪崩能量承受能力,能够在异常条件下提供额外的保护。
  快速开关特性使其非常适合高频开关电源和DC-DC转换器的应用场景。
  同时,该器件的封装形式支持高效的散热管理,从而提升了长期运行的可靠性。
  由于其宽广的工作温度范围,FJ55X472K302EFG适用于各种恶劣环境下的工业及汽车级应用。

应用

FJ55X472K302EFG被广泛应用于以下领域:
  1. 高效开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 太阳能逆变器
  5. 电动汽车牵引逆变器
  6. 工业自动化设备中的负载开关
  7. 不间断电源(UPS)系统
  其强大的电气特性和可靠性使其成为这些高要求应用的理想选择。

替代型号

FJ55X472K302AFG
  FJ55X472K302BFG
  IRFP460
  STP55NF06

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