GA0603H183MXXAC31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该型号属于沟道增强型器件,具有低导通电阻、高效率和快速开关的特点,适用于高频应用环境。
这款功率晶体管采用了先进的半导体制造工艺,确保其在高温和高电流条件下保持稳定性能。同时,它还具备出色的热管理和抗静电能力,适合工业级和消费级电子设备。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:35nC
总电容:125pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-247
1. 超低导通电阻,可显著降低功率损耗。
2. 快速开关速度,支持高频应用。
3. 高电流承载能力,适用于大功率场景。
4. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 内置保护机制,提高器件的耐用性和安全性。
6. 符合 RoHS 标准,环保设计。
7. 封装坚固,便于散热和安装。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 电机驱动与控制
3. 汽车电子系统
4. 工业自动化设备
5. LED 驱动器
6. 充电器及适配器
7. 大功率 DC-DC 转换器
8. 各类负载切换电路
IRFZ44N, FQP30N06L, AO3400