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FDS3570_NL 发布时间 时间:2025/8/25 1:25:33 查看 阅读:3

FDS3570_NL是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)制造的高性能双N沟道功率MOSFET,采用先进的PowerTrench?技术,旨在提供极低的导通电阻和高效的功率转换性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各类高效能电源设备中。FDS3570_NL采用8引脚SOIC封装,具备优良的热性能和空间利用率,适合高密度PCB设计。

参数

类型:双N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  连续漏极电流(ID):6A(单通道)
  栅极阈值电压(VGS(th)):1.1V~2.5V(在VDS=5V时)
  导通电阻(RDS(on)):30mΩ(典型值,当VGS=4.5V时)
  最大功耗(PD):2.5W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:8-SOIC

特性

FDS3570_NL采用飞兆半导体的PowerTrench?技术,这种先进的制造工艺显著降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了系统效率。此外,其双N沟道设计使得在H桥、负载开关或同步整流等应用中可以实现紧凑的电路布局,减少了外部元件数量和PCB面积。
  FDS3570_NL具备良好的热稳定性和可靠性,适合在高温环境下运行。其低栅极电荷(Qg)特性有助于提高开关速度,降低开关损耗,从而支持高频操作,提高电源转换效率。
  该器件还内置了ESD保护功能,增强了抗静电能力,提升了器件在复杂电磁环境中的稳定性与耐用性。同时,其逻辑电平兼容的栅极驱动特性,使得它可以与常见的PWM控制器或微处理器直接连接,无需额外的栅极驱动电路。

应用

FDS3570_NL因其高效率、小尺寸和集成双通道设计,被广泛应用于多种电源管理场合,包括但不限于:
  ? DC-DC降压/升压转换器
  ? 同步整流器
  ? 电池管理系统(BMS)
  ? 负载开关控制
  ? 电机驱动电路
  ? 便携式电子设备电源管理
  ? 工业自动化与控制系统
  ? LED照明驱动电路
  尤其适用于对空间和效率要求较高的消费类电子、工业设备和通信电源系统。

替代型号

Si3442DV-T1-GE3, FDS6680, NDS355AN, AO4406A, FDC6403N

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