FIR1N60LG 时间：2025/8/25 4:02:35 阅读：3

FIR1N60LG 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性等特点，适用于各类开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器以及电池充电器等应用领域。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：1.2A（@25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：约 1.8Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：25W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220

特性

FIR1N60LG 采用了先进的平面技术，具备良好的导通特性和开关性能。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有较高的击穿电压能力，能够在高电压环境下稳定工作，适用于高压开关电源等应用场景。
　　这款 MOSFET 还具备出色的热稳定性，在高功率工作条件下仍能保持良好的性能，减少了对散热片的依赖。其栅极驱动特性良好，能够快速开启和关闭，降低了开关损耗，提高了开关频率下的性能表现。
　　在可靠性方面，FIR1N60LG 具备较高的抗过载能力和良好的短路耐受性，能够在异常工作条件下提供一定的保护作用。其封装采用 TO-220 标准形式，便于安装和散热设计，适用于多种电路板布局。