PZM10NB是一款N沟道增强型功率MOSFET,适用于多种开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够在高频率和高效率的应用场景中提供优异的性能表现。
这款MOSFET主要应用于电源管理、电机驱动、负载切换以及DC-DC转换器等领域,凭借其低损耗和高可靠性成为许多设计中的关键元器件。
型号:PZM10NB
VDS(漏源极电压):60V
RDS(on)(导通电阻,典型值):10mΩ
IDS(连续漏极电流):30A
VGS(th)(栅极阈值电压):2.5V
Qg(栅极电荷):40nC
fT(过渡频率):2.7MHz
Tj(工作结温范围):-55℃ to 150℃
PZM10NB具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够有效降低传导损耗,提升整体效率。
2. 较高的电流承载能力,支持高达30A的连续漏极电流,适合大功率应用。
3. 优化的开关性能,具备较小的栅极电荷(Qg),可实现快速开关操作。
4. 高可靠性,在恶劣环境下也能稳定运行,符合工业级标准。
5. 小巧的封装设计,有助于节省PCB空间,同时提供良好的散热性能。
PZM10NB广泛用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)和AC-DC适配器中的同步整流。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路中的主开关元件。
3. 电机控制和驱动电路中的功率开关。
4. 负载切换和保护电路,例如电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制。
5. 各种便携式电子设备和消费类电子产品中的高效功率转换方案。
PZM10NBP
PZM10NBT
IRFZ44N