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PZM10NB 发布时间 时间:2025/7/5 5:50:58 查看 阅读:93

PZM10NB是一款N沟道增强型功率MOSFET,适用于多种开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够在高频率和高效率的应用场景中提供优异的性能表现。
  这款MOSFET主要应用于电源管理、电机驱动、负载切换以及DC-DC转换器等领域,凭借其低损耗和高可靠性成为许多设计中的关键元器件。

参数

型号:PZM10NB
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):10mΩ
  IDS(连续漏极电流):30A
  VGS(th)(栅极阈值电压):2.5V
  Qg(栅极电荷):40nC
  fT(过渡频率):2.7MHz
  Tj(工作结温范围):-55℃ to 150℃

特性

PZM10NB具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够有效降低传导损耗,提升整体效率。
  2. 较高的电流承载能力,支持高达30A的连续漏极电流,适合大功率应用。
  3. 优化的开关性能,具备较小的栅极电荷(Qg),可实现快速开关操作。
  4. 高可靠性,在恶劣环境下也能稳定运行,符合工业级标准。
  5. 小巧的封装设计,有助于节省PCB空间,同时提供良好的散热性能。

应用

PZM10NB广泛用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)和AC-DC适配器中的同步整流。
  2. DC-DC转换器和降压/升压电路中的主开关元件。
  3. 电机控制和驱动电路中的功率开关。
  4. 负载切换和保护电路,例如电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制。
  5. 各种便携式电子设备和消费类电子产品中的高效功率转换方案。

替代型号

PZM10NBP
  PZM10NBT
  IRFZ44N

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