类型：NPN双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　增益（hFE）：在IC=2mA，VCE=5V时，典型值为400
　　过渡频率（fT）：100MHz

NHDTA143ZUX具有良好的高频性能，过渡频率（fT）高达100MHz，使其适用于射频和高速模拟信号处理电路。其高增益特性在IC=2mA时，hFE典型值为400，确保了优异的信号放大能力。此外，该晶体管的SOT-523封装尺寸小巧，便于在高密度PCB设计中使用。其低功耗特性（最大功耗为200mW）也使其适用于便携式电子设备。
　　该器件的可靠性较高，工作温度范围宽，能够在-55°C至150°C的环境中稳定运行。NHDTA143ZUX还具备较强的耐压能力，集电极-发射极电压（VCEO）和集电极-基极电压（VCBO）均可达50V，适用于多种中低压电路设计。此外，其低饱和压降特性有助于降低功耗，提高系统效率。

NHDTA143ZUX适用于多种高频和模拟电路设计，常见应用包括射频放大器、模拟信号放大、开关电路、振荡器以及低噪声前置放大器等。由于其SOT-523封装的体积小巧，该晶体管也广泛应用于便携式电子产品，如手机、平板电脑和无线通信模块。此外，NHDTA143ZUX还可用于音频放大电路和传感器信号调理电路中，以提供稳定的信号增益。在射频应用中，该晶体管可用于低噪声放大器（LNA）和混频器设计，以实现高频信号的高效处理。

BC847N, 2N3904, PN2222A