RF5836SB 时间：2025/8/15 19:09:33 阅读：6

RF5836SB是一款由Renesas Electronics设计的射频功率晶体管（RF Power Transistor），主要用于高功率射频放大器应用。这款晶体管采用硅双极型技术（Si Bipolar），适用于工作频率在VHF、UHF和微波频段的通信设备。RF5836SB支持高功率输出和较高的功率增益，适合用于基站、广播发射器和工业射频加热系统等应用场景。

参数

类型：NPN射频功率晶体管
　　封装：SOT-89
　　最大集电极电流：1.5A
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大功耗：15W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　频率范围：DC 至 1GHz
　　输出功率：25W @ 900MHz
　　增益：约14dB @ 900MHz
　　效率：约60% @ 900MHz

特性

RF5836SB具备出色的射频功率处理能力，能够在高频段（最高1GHz）下稳定运行。该器件的高线性度和高效率使其适用于多类射频通信系统中的推挽或A类放大器设计。此外，RF5836SB具有良好的热稳定性，采用SOT-89封装，有助于快速散热，从而提高器件在高功率应用中的可靠性。
　　该晶体管的输入和输出阻抗设计优化，便于与50Ω系统进行匹配，降低了外部匹配电路的复杂性。其优异的互调失真（IMD）性能，使其在需要高信号保真的系统中表现出色，例如蜂窝基站、无线基础设施和广播发射机。
　　RF5836SB还具备良好的抗过载能力，在瞬态过载条件下仍能保持稳定运行，这使其在恶劣环境下具备较高的耐用性和稳定性。该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品的设计。