FIN1104MTCX 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于高频开关和功率转换场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 TO-263(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)应用。
该器件适用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能功率开关的应用场合。
型号:FIN1104MTCX
类型:N-Channel MOSFET
封装:TO-263 (DPAK)
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):4.6A
导通电阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
功耗(Pd):22W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
FIN1104MTCX 的设计重点在于优化开关性能和热效率,使其在高频操作下仍能保持较低的损耗。以下是该器件的主要特点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力,支持高频应用场景,降低开关损耗。
3. 高击穿电压(100V),确保在高压条件下稳定运行。
4. 热增强型 DPAK 封装,提供高效的散热路径。
5. 宽广的工作温度范围,能够在极端环境下可靠工作。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设计中。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器,用于电压调节和能量传输。
3. 电机驱动电路,控制电机的速度和方向。
4. 电池保护电路,防止过流或短路。
5. 各类负载切换应用,如 LED 驱动和继电器控制。
FIN1104MTCX 凭借其优异的性能表现,成为这些应用的理想选择。
IRF530NPBF, FDN337AN