类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　工作结温（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SC-70（SOT-323）

2SC4269-4-TB-E具备出色的高频性能，其过渡频率（fT）高达8GHz，使其非常适合用于高频小信号放大电路，如射频前端模块、无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）等应用场景。该晶体管在GHz级别的频段内仍能保持较高的增益和稳定性，确保信号传输的完整性与低失真。其高频响应能力得益于先进的半导体制造工艺和优化的内部结构设计，减少了寄生电容和电感的影响，从而提升了整体频率响应特性。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围宽，典型值在70至700之间，具有良好的电流放大能力，且批次一致性较高，便于电路设计时进行增益预估和匹配。高hFE特性使得在低驱动电流条件下也能实现有效的信号放大，适用于电池供电的低功耗系统。
　　2SC4269-4-TB-E采用SC-70（SOT-323）小型表面贴装封装，体积小巧，节省PCB空间，特别适合智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块、Wi-Fi模组等对尺寸敏感的应用。该封装还具备良好的热传导性能，在正常工作条件下能够有效散热，保障器件长期稳定运行。
　　该晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat)），在开关应用中能减少导通损耗，提高能效。同时，其快速的开关响应时间有助于提升数字逻辑电路和脉冲信号处理系统的性能。器件的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适应各种严苛环境下的使用需求。此外，产品符合AEC-Q101车规级可靠性标准的可能性较高（需查证具体批次），可用于汽车电子中的传感器信号调理或车载通信单元。

2SC4269-4-TB-E主要用于高频小信号放大电路，常见于无线通信设备中的射频放大器、低噪声放大器（LNA）和混频器电路。它也广泛应用于便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和无线遥控装置中的信号放大与处理模块。此外，该晶体管适用于各类需要高增益和低噪声性能的模拟前端电路，例如音频前置放大器、传感器信号调理电路以及数据采集系统中的缓冲级设计。
　　在开关应用方面，该器件可用于高速数字开关电路、LED驱动电路、逻辑电平转换器以及小型继电器或MOSFET的驱动级。由于其响应速度快、功耗低，适合用于电池供电设备中的节能型开关控制。
　　该晶体管还可用于电视调谐器、FM收音机模块、无线麦克风接收器等传统射频接收设备中，作为高频信号的初级放大元件。在物联网（IoT）设备中，常被集成在Zigbee、LoRa、Sub-GHz无线模块中，用于增强微弱信号的接收灵敏度。
　　此外，2SC4269-4-TB-E的小型封装特性使其成为高密度印刷电路板（PCB）设计的理想选择，尤其适合自动化贴片生产线，广泛应用于大规模电子制造领域。

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　　 "2SC4269",
　　 "KSC4269",
　　 "MMBT3904",
　　 "2N3904",
　　 "BC847BP"
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