您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ERW07-120

ERW07-120 发布时间 时间:2025/8/9 9:34:58 查看 阅读:16

ERW07-120 是一款由日本公司东芝(Toshiba)推出的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率晶体管,适用于高效率的电源转换和功率控制应用。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和优异的热稳定性,常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中。ERW07-120 采用SOP(小外形封装)封装形式,适合表面贴装工艺,提供良好的电气性能和散热能力。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):最大32mΩ(在Vgs=10V时)
  功耗(Pd):2W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOP-8

特性

ERW07-120 MOSFET具备多项优异特性,适用于高性能功率管理应用。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率。在Vgs=10V时,最大Rds(on)仅为32mΩ,使得该器件在高电流条件下仍能保持较低的功耗。其次,该MOSFET具有较高的连续漏极电流能力,最大可达6A,适用于中高功率的负载开关和DC-DC转换器设计。
  此外,ERW07-120采用SOP-8封装,具有良好的热管理性能,确保在高功率密度应用中稳定运行。其表面贴装封装形式适合自动化组装流程,提升生产效率并降低成本。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,适应工业级环境要求,适用于严苛的工业控制和车载电子系统。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围为±12V,与常见的驱动电路兼容,便于设计和集成。其低栅极电荷(Qg)进一步提升了开关速度,减少开关损耗,适用于高频开关电源设计。综合来看,ERW07-120是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于各种高效率电源管理和功率控制场景。

应用

ERW07-120 MOSFET广泛应用于多个领域,主要包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池供电设备以及工业自动化控制系统。在电源管理应用中,该器件用于高效能的开关电源(SMPS)设计,提升整体能效并降低发热。在DC-DC转换器中,其低导通电阻和高电流能力有助于实现高效率的电压转换,适用于笔记本电脑、通信设备和嵌入式系统中的电源模块。
  此外,ERW07-120也常用于电池管理系统(BMS),作为高侧或低侧开关控制元件,确保电池充放电过程的安全性和稳定性。在电机驱动应用中,该MOSFET可作为功率开关,用于控制直流电机或步进电机的运行。其优异的开关特性和热稳定性使其成为工业自动化设备、LED驱动器以及智能家电中理想的功率控制元件。

替代型号

Si2302DS, FDS6680, AO4406, IRF7413

ERW07-120推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ERW07-120资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载