时间：2025/7/8 8:54:22
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GRT155R71H332KE01D是一款高性能的功率MOSFET器件，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用。该器件采用先进的制程技术制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：GRT155R71H332KE01D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：330mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：185W
结温范围(Tj)：-55℃ to +150℃
封装形式：TO-247
GRT155R71H332KE01D具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 高耐压能力，适合高压应用环境。
3. 快速开关性能，可支持高频操作。
4. 强大的雪崩能力和抗静电能力，提高了产品的可靠性。
5. 封装坚固耐用，散热性能优越。
这些特点使该器件非常适合用于需要高效能量转换和可靠运行的应用场景。
GRT155R71H332KE01D广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 工业设备中的电机驱动控制。
3. 各类DC-DC转换器。
4. 太阳能逆变器中的功率管理。
5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
6. 其他需要高性能功率切换的应用。
GRT155R71H332KE02D, IRFP460, STP14NK65Z
