时间：2025/5/23 0:17:37
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FI 168P0829GM-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够在高频和高效率应用中表现出色。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，主要设计用于需要高效能功率管理的应用场合。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：25A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1250pF
最大功耗：150W
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗，提升系统整体效率。
2. 高速开关特性使其非常适合高频开关应用。
3. 良好的热稳定性确保在高温环境下仍能保持可靠运行。
4. 紧凑的封装设计节省PCB空间，便于小型化设计。
5. 具备强大的抗浪涌能力，增强了器件的鲁棒性。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业逆变器
5. 太阳能微逆变器
6. 电动工具及家电驱动电路
IRF840,
STP16NF06,
FDP16N60,
IXYS IXFN18N50T,
ON Semiconductor NTMFS4829N
