UVY2D0R1MED是一款由Vishay Siliconix生产的TVS(瞬态电压抑制)二极管阵列,专为保护敏感电子设备免受瞬态电压事件(如静电放电ESD、电快速瞬变脉冲群EFT以及雷击感应等)的损害而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备快速响应时间和低钳位电压特性,能够有效将瞬态过电压箝制在安全水平,从而确保下游电路的安全与稳定运行。UVY2D0R1MED属于双向TVS二极管阵列,适用于需要对差分信号线或双极性信号路径进行保护的应用场景。其封装形式为小型化的SOT-23,适合在空间受限的高密度PCB布局中使用,广泛应用于便携式消费类电子产品、通信接口和工业控制领域。
该器件具有低漏电流和低电容的特点,使其非常适合用于高速数据线路的保护,例如USB、HDMI、RS-485、CAN总线以及其他模拟或数字信号通道。由于其出色的可靠性与长期稳定性,UVY2D0R1MED被广泛认可并用于符合国际电磁兼容(EMC)标准的产品设计中。此外,该器件通过了AEC-Q101车规级认证,表明其具备在严苛环境条件下稳定工作的能力,适用于汽车电子系统中的电路保护需求。
类型:双向TVS二极管阵列
工作电压(VRWM):2.0V
击穿电压(VBR):典型值2.37V(最大值2.6V)
钳位电压(VC):最大值7.0V(在IPP = 1A条件下)
峰值脉冲电流(IPP):最大1A
反向漏电流(IR):最大1μA(在25°C时)
结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
电容值(Cj):典型值35pF(在0V偏置下)
封装:SOT-23
UVY2D0R1MED具备优异的瞬态抑制性能,能够在纳秒级别内响应高达±30kV的空气和接触式静电放电事件,满足IEC 61000-4-2 Level 4标准要求。这种快速响应机制源于其内部采用的硅雪崩二极管结构,当外部电压超过其击穿阈值时,器件迅速进入导通状态,将多余能量导向地线,从而避免敏感元件受损。更重要的是,该TVS阵列在动作过程中表现出极低的动态电阻,这使得其钳位电压远低于传统保护器件,显著提升了系统的抗扰度。
该器件的低电容特性(典型值35pF)确保了其在高频信号传输路径中的最小插入损耗与信号失真,因此特别适合用于现代高速通信接口的保护。例如,在USB 2.0全速/高速模式下,信号频率可达数百MHz,若使用高电容保护元件则可能导致眼图闭合、误码率上升等问题;而UVY2D0R1MED因其低寄生电容,不会对信号完整性造成明显影响。
另一个关键优势是其双向对称结构设计,允许其在正负两个方向上均提供相同的保护水平,适用于交流耦合或差分信号线路,如RS-485、CAN等工业总线应用。这种对称性保证了无论瞬态干扰来自哪个极性,都能得到一致的保护效果,增强了系统的鲁棒性。
此外,UVY2D0R1MED采用无铅且符合RoHS指令的SOT-23封装,不仅环保,而且便于自动化贴片生产,提高了制造效率。其小尺寸(仅约2.8mm × 2.2mm)使其成为可穿戴设备、智能手机、平板电脑等紧凑型电子产品中的理想选择。同时,器件经过高温高湿可靠性测试(如85°C/85%RH),展现出良好的长期稳定性与耐久性。
UVY2D0R1MED常用于各类需要ESD和瞬态浪涌保护的电子系统中,尤其是在高速数据接口和便携式设备中表现突出。典型应用场景包括USB端口保护(尤其是USB 2.0 D+ / D- 数据线)、HDMI、DisplayPort等音视频接口的信号线防护,以及工业通信总线如RS-485、CAN、LIN等差分线路的抗干扰设计。在消费类电子产品中,它可用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑的I/O接口防静电设计,防止用户插拔外设时引入的ESD损坏主控芯片。
在汽车电子领域,该器件可用于车载信息娱乐系统、摄像头模块、传感器信号调理电路等部位的瞬态保护,尤其适用于那些暴露在外部环境或连接长线缆的节点,这些位置更容易受到电磁干扰和电压突波的影响。此外,由于其通过AEC-Q101认证,符合汽车行业对元器件可靠性的严格要求,因此可在发动机舱以外的各种车载电子模块中安全使用。
在工业控制系统中,UVY2D0R1MED可用于PLC输入输出端口、人机界面(HMI)触摸屏接口、现场总线终端等场合,提升系统在恶劣电磁环境下的运行稳定性。同时,也可用于医疗设备中对患者连接接口的电气隔离与保护,确保设备符合IEC 60601等安全规范。总之,凡是存在潜在瞬态电压威胁且要求低电容、小体积的信号线路,都是UVY2D0R1MED的理想应用领域。
SM712-02MTD
SP1203-04UTG
RCLAMP0524P
TPD1E101B01DBVR
MAX3080E