型号：30CTQ080GS
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：双肖特基势垒整流二极管
　　封装形式：TO-277 (DPAK)
　　最大重复反向电压（VRRM）：80V
　　最大直流阻断电压（VR）：80V
　　平均整流电流（IF(AV)）：30A（单管，Tc=125°C）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：150A（t=8.3ms，半正弦波）
　　正向压降（VFM）：典型值0.54V（每管芯，IF=15A，TJ=25°C）；最大值0.6V（每管芯，IF=15A，TJ=25°C）
　　反向漏电流（IR）：最大500μA（VR=80V，TJ=25°C）；高温下不超过10mA（VR=80V，TJ=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约1.2°C/W（芯片到外壳）
　　引脚数：3
　　极性配置：双共阴极（Common Cathode）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

30CTQ080GS的核心优势在于其卓越的电学性能与高可靠性设计，特别针对高效率、大电流应用场景进行了优化。该器件采用双肖特基势垒结构，利用金属-半导体结实现低开启电压和快速开关响应，避免了传统PN结二极管的少数载流子存储效应，从而显著降低开关损耗，提升电源系统的动态响应速度。其正向导通压降极低，在15A电流下典型值仅为0.54V，即便在满负载条件下也能大幅减少导通损耗，这对于需要长时间运行的高功率密度电源尤为重要。
　　该器件的热管理表现优异，得益于TO-277封装内置的大面积铜焊盘设计，能够高效地将热量从PN结传导至PCB，配合适当的散热布局可支持持续30A的大电流输出。同时，其最大结温高达+175°C，确保在高温环境如引擎舱内的汽车应用中仍能安全运行。双共阴极配置使其非常适合用于全波中心抽头整流电路，例如在服务器电源或车载DC-DC变换器中作为次级侧整流元件，取代多个分立二极管以简化布局并提高可靠性。
　　此外，30CTQ080GS具备良好的抗浪涌能力，可承受高达150A的非重复峰值电流冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其反向漏电流控制出色，在高温下依然保持较低水平，有助于防止热失控现象的发生。整个器件通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、湿度、机械振动等严酷测试条件下均能满足汽车电子的长期可靠性要求。此外，产品符合RoHS指令，不含铅等有害物质，支持绿色环保制造流程。由于采用标准化表面贴装封装，便于自动化贴片生产，适用于大规模工业化制造场景。

30CTQ080GS广泛应用于对效率和可靠性要求较高的电力电子系统中。典型用途包括各类开关模式电源（SMPS），尤其是在低压大电流输出的AC-DC适配器、工业电源模块和通信电源中作为次级整流元件。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件常被用作续流二极管或箝位二极管，利用其快速恢复特性减少能量损耗，提高转换效率。在汽车电子领域，它可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电机驱动控制器和电池管理系统（BMS）中的电源部分，因其通过AEC-Q101认证，具备出色的耐久性和环境适应性。
　　此外，在太阳能逆变器、UPS不间断电源和LED驱动电源等新能源与照明系统中，30CTQ080GS也发挥着重要作用，特别是在需要高效率整流且空间受限的设计中，其紧凑的表面贴装封装和高电流承载能力成为理想选择。在服务器和数据中心电源供应单元（PSU）中，该器件用于+12V或+5V输出级的同步整流辅助路径，帮助提升整体能效等级。由于其双共阴极结构，特别适合搭配中心抽头变压器进行全波整流，避免使用复杂的同步整流控制器即可实现高效低成本解决方案。此外，也可用于电池反接保护、极性校正电路以及高频逆变电路中的自由轮转二极管功能。

MBR30H100CTG
　　SB30C80SP5L