时间：2025/8/9 8:31:35
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FGW75N60WQ是一款高功率场效应晶体管（MOSFET），专为高电压和高电流应用设计。该器件由富士电机（Fuji Electric）制造，采用先进的沟槽栅极技术，提供卓越的导通和开关性能，适用于各种工业和电力电子设备。FGW75N60WQ封装在坚固的TO-247封装中，具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高效率的功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
漏极电流（ID）：75A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：最大0.027Ω（典型0.023Ω）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V至4.0V
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：300W
FGW75N60WQ具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET具有高电流承载能力和卓越的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。此外，FGW75N60WQ的栅极设计优化了开关特性，减少了开关损耗，提高了整体能效。该器件还具备良好的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和稳定性。TO-247封装提供了优异的散热性能，有助于维持器件在高负载条件下的工作温度在安全范围内。最后，FGW75N60WQ采用了先进的封装技术和材料，确保了长期使用的耐久性和稳定性。
FGW75N60WQ广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于：工业电源、不间断电源（UPS）、电动车辆充电系统、太阳能逆变器、电机驱动器和电焊机等。其高电压和大电流能力使其成为电力电子转换系统中不可或缺的关键元件。
FGW75N60WFD、FGW75N60WDT、FGW75N60WSA
