时间：2025/9/1 20:42:50
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H27S1G8F2BFR-BCR是一款由SK Hynix（海力士）生产的NAND闪存芯片，容量为1Gbit（128MB），采用8位并行接口设计，适用于嵌入式系统、存储设备以及需要非易失性存储解决方案的各类应用。该芯片封装为TSOP（Thin Small-Outline Package），工作温度范围为工业级标准（-40°C至+85°C），适合在各种严苛环境中使用。
容量：1Gbit
接口类型：8位并行NAND接口
电压范围：2.3V至3.6V
工作温度：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
引脚数：52-pin
读取时间：最大70ns
写入时间：最大70ns
数据保持时间：10年（典型）
编程/擦除周期：10万次（典型）
H27S1G8F2BFR-BCR具备高性能和高可靠性的特点，采用了NAND闪存技术，具有快速读写能力和长寿命。其8位并行接口支持高速数据传输，适用于需要大量数据存储和频繁读写操作的应用场景。该芯片内置错误检测和纠正功能，能够有效提升数据的完整性与稳定性。此外，其低功耗设计有助于延长电池供电设备的续航时间，同时具备良好的抗干扰能力和耐久性，适用于工业、车载、消费类电子产品等多种环境。
该芯片的擦写寿命可达10万次，数据保持时间长达10年，具备良好的数据存储可靠性。同时支持页编程和块擦除功能，便于系统进行高效的数据管理。H27S1G8F2BFR-BCR还支持硬件写保护功能，防止意外的数据写入或擦除，提升了系统的安全性。
该芯片广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、数据采集设备、车载信息娱乐系统、便携式电子设备（如MP3播放器、电子书）、智能卡终端、医疗设备等需要非易失性大容量存储的场景。由于其高稳定性和宽温工作范围，特别适合在工业和车载环境中使用。
H27S1G8F2BFR-BCR的替代型号包括H27S1G8F2MFR-BCB、H27U1G8F2BFR-BCR以及兼容的其他厂商NAND Flash芯片如K9F1G08U0B-PCB0（三星）和TC58NVG0S3E-90（东芝）。
