时间：2025/5/29 10:05:49
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STGF15H60DF是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道超结MOSFET。该器件采用了先进的超结技术，能够提供低导通电阻和快速开关性能，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率转换应用。其高击穿电压（650V）使其非常适合在高压环境下工作。
这款MOSFET的封装形式为TO-247，适合表面贴装和插件安装，便于大规模生产应用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.09Ω（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：85nC（典型值）
输入电容：1050pF（典型值）
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
STGF15H60DF的主要特点是其低导通电阻和高效率的开关性能。它能够在高频条件下保持较低的开关损耗，并且具备出色的热稳定性和可靠性。
该器件还具有非常低的栅极电荷，这有助于进一步减少开关损耗，同时提高系统的整体效率。
此外，由于采用了超结技术，STGF15H60DF在动态和静态性能之间实现了良好的平衡，使得它在宽负载范围内都能够表现出色。
其坚固的设计和宽广的工作温度范围确保了其在各种恶劣环境下的稳定性。
STGF15H60DF广泛应用于开关电源、AC-DC适配器、LED驱动器、逆变器以及各类工业控制设备中。
由于其高击穿电压和大电流能力，它特别适合于需要高效功率转换的场景，例如服务器电源、电信整流器以及电动汽车充电站等应用领域。
此外，在电机驱动应用中，STGF15H60DF可以有效降低功耗并提升系统的动态响应性能。
STGFS16H60DF, STGF15N60DF, STGF10H60DF
