时间：2025/8/9 17:06:29
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FGW50N60HC是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高功率N沟道功率MOSFET，属于超级结MOSFET系列。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，广泛用于工业电源、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）和电机控制等领域。FGW50N60HC采用先进的硅技术，具备较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于要求高效能和高可靠性的电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：50A
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.15Ω（最大0.18Ω）
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
栅极电荷（Qg）：典型值70nC
漏极电容（Coss）：典型值100pF
封装类型：通孔封装
FGW50N60HC具备多项优异的电气和物理特性。首先，它采用了富士电机先进的超级结（Super Junction）技术，有效降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET具有较高的击穿电压能力（600V），适用于中高功率的开关电源系统。此外，FGW50N60HC的封装形式为TO-247，具备良好的热管理和散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
在开关特性方面，FGW50N60HC的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗并提高开关速度，适用于高频开关应用。其漏极电容较小，降低了输出电容带来的能量损耗，提高了系统的动态响应能力。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提升了系统在异常工况下的可靠性。
FGW50N60HC还具备较高的工作温度范围（-55°C至150°C），适应性强，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。其封装设计支持通孔安装，便于PCB布局和散热管理。该MOSFET还具备较高的耐用性和较长的使用寿命，适用于工业级和高可靠性应用场景。
FGW50N60HC广泛应用于多种高功率和高效率的电力电子系统中。例如，在工业电源系统中，该MOSFET可作为主开关器件用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块和功率因数校正（PFC）电路。在UPS系统中，FGW50N60HC可用于逆变器部分，实现高效的能量转换和稳定的输出电压。此外，该器件还适用于太阳能逆变器、电机驱动器和电池充电器等应用，满足高效能、高可靠性设计的需求。
在消费类电子产品中，FGW50N60HC也可用于高性能电源适配器和LED照明驱动电路，提供高效、稳定的功率转换。其优异的开关特性和低导通电阻特性使其成为高频开关电源的理想选择。
FGW50N60S, FGW50N60IHD, FGH50N60SMD
