时间：2025/12/28 17:30:15
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IS61NLP25636B-200B3LI 是由 Integrated Silicon Solution（ISSI）公司生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高性能的CMOS技术制造，具有低功耗和高速度的特点，适用于对数据存储速度和稳定性要求较高的应用场合。IS61NLP25636B-200B3LI 是一款异步SRAM，其容量为256K x 36位，适用于需要大量快速数据存储和访问的应用。
容量：256K x 36位
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：200MHz
封装形式：165-BGA
工作温度：-40°C 至 85°C
接口类型：并行异步接口
功耗：典型值为150mA（待机模式下为10mA）
最大时钟频率：200MHz
数据宽度：36位
IS61NLP25636B-200B3LI 是一款高性能的异步SRAM，采用了先进的CMOS工艺，具有较低的功耗和较高的可靠性。其256K x 36位的存储容量使得它能够满足需要大量快速数据存储的需求，适用于高速缓存、网络设备、通信设备等领域。
该芯片支持异步操作，这意味着它可以在没有固定时钟信号的情况下运行，提高了灵活性和适用性。此外，该芯片具有宽电压范围（2.3V至3.6V），允许在多种电源条件下稳定工作。
IS61NLP25636B-200B3LI 还具备低待机电流特性，能够在不使用时有效降低功耗，延长设备的使用寿命。其165-BGA封装形式提供了良好的散热性能，确保在高频率工作时仍能保持稳定。
工作温度范围为-40°C至85°C，使得该芯片能够在极端温度环境下正常运行，适用于工业级和汽车级应用。此外，该芯片的最大访问时间为200MHz，能够提供快速的数据存取能力，满足高速数据处理的需求。
IS61NLP25636B-200B3LI 主要应用于需要高性能存储的设备，如路由器、交换机、通信模块、工业控制系统、测试仪器等。其高速度和低功耗特性使其在嵌入式系统和实时数据处理场景中表现出色。
IS61NLP25636A-200B3LI, IS61NLP25636B-200BLL
