SLD1026Z 时间：2025/8/16 5:39:30 阅读：3

SLD1026Z是一款由Silan（士兰微电子）公司设计和生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的功率转换和控制应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和较强的电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及电池充电系统等场景。SLD1026Z采用先进的沟槽式技术，确保了在高频率开关条件下的稳定性能，并具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　导通电阻（RDS(ON)）：4.5mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：90nC
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

SLD1026Z具有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(ON)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，这款MOSFET能够承受高达60V的漏源电压，适用于中高压功率转换应用。此外，SLD1026Z的最大漏极电流为120A，支持大电流负载，适用于高功率密度设计。
　　该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能，从而减少了开关损耗，特别适合高频操作环境。SLD1026Z还具备良好的热管理能力，其TO-263（D2PAK）封装设计有助于快速散热，保证器件在高负载条件下稳定运行。这种封装形式也便于表面贴装，适合自动化生产流程。
　　此外，SLD1026Z内置了防静电保护功能，增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性。它还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作，防止器件损坏。这些特性使得SLD1026Z在汽车电子、工业控制、服务器电源和太阳能逆变器等高要求应用中具有广泛的应用前景。

应用

SLD1026Z广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。在电源管理系统中，它可以作为主开关器件用于DC-DC转换器或AC-DC电源模块，实现高效的电压转换。在电机驱动器中，SLD1026Z可用于H桥结构，控制直流电机或无刷电机的正反转及调速，其高电流承载能力确保了电机在高扭矩条件下稳定运行。
　　该器件也常用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电控制开关，保护电池组免受过流、过压和短路的影响。在新能源领域，SLD1026Z可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换部分，其高效率和高可靠性有助于提升系统整体能效。
　　此外，SLD1026Z还可用于服务器电源、LED驱动器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率开关控制。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高性能功率管理方案的理想选择。