类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(ON)）：4.3mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：48W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP

TPH4R304NC功率MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，典型值为4.3mΩ，这使得器件在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该特性对于需要高能效和低发热的应用至关重要，例如在电池供电设备和电源管理电路中。此外，该MOSFET的漏源电压（VDS）为40V，栅源电压（VGS）为20V，能够满足多种电压范围的应用需求。
　　在电流处理能力方面，TPH4R304NC的最大漏极电流可达12A，适用于中高功率应用。其功率耗散能力为48W，能够在较高负载条件下稳定运行。器件的工作温度范围从-55°C到150°C，适应性强，适用于严苛的环境条件。SOP封装形式不仅节省空间，还简化了PCB设计和装配流程。
　　TPH4R304NC的内部结构采用东芝先进的沟槽式MOSFET技术，优化了载流子流动路径，降低了导通电阻并提高了开关速度。这种设计使得器件在高频操作中表现出色，减少了开关损耗，从而进一步提升系统效率。同时，器件的栅极驱动要求较低，可以与多种控制器和驱动器兼容，降低了整体设计复杂度。

TPH4R304NC广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及工业自动化设备。在电源管理系统中，它能够高效地处理能量转换，减少热量产生，提高整体能效。在DC-DC转换器中，TPH4R304NC的低导通电阻和高开关速度使其成为理想选择，有助于实现高频率和高效率的电源设计。作为负载开关，该MOSFET能够快速响应控制信号，提供可靠的开关性能。在电机驱动应用中，其高电流处理能力和低功耗特性确保了电机运行的稳定性和效率。此外，TPH4R304NC还适用于需要高可靠性的工业控制系统和消费类电子产品。

SiR142DP-T1-GE, FDS6680, IRF7413PBF