FGW35N60HD 时间：2025/8/9 16:12:08 阅读：16

FGW35N60HD是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的高功率N沟道MOSFET，广泛用于需要高效率和高可靠性的电源应用中。该器件具有低导通电阻、高电流容量和卓越的热稳定性，适用于工业电源、电机驱动、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：35A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.15Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-3P或类似高功率封装

特性

FGW35N60HD具备多个优异的电气和热性能特性。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET采用先进的平面工艺制造，确保了高可靠性和长寿命。
　　它具有较高的电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
　　此外，FGW35N60HD内置快速恢复二极管，可有效减少反向恢复损耗，适用于高频开关应用。
　　器件的封装设计优化了散热性能，使得在高功率应用中能够保持较低的结温，从而提升整体系统的可靠性。
　　该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，进一步增强了其在严苛环境下的适用性。

应用

FGW35N60HD适用于多种高功率电子系统，包括工业电源、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电焊设备等。
　　在电机控制领域，该器件可作为主开关元件，提供高效、稳定的功率输出。
　　在太阳能逆变器中，FGW35N60HD的低导通损耗和快速开关特性有助于提高能量转换效率。
　　此外，它也可用于高频电源转换器和DC-DC变换器，满足现代电源系统对高效率和小体积的要求。
　　由于其出色的热性能和可靠性，该MOSFET也广泛应用于电动汽车和充电桩等新能源领域。