时间：2025/6/16 23:25:18
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RT15N180F500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 Trench 工艺制造。它具有较低的导通电阻和高开关速度，适合用于各种高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及电源管理模块等。其出色的热性能和电气特性使其成为高效能设计的理想选择。
该器件的工作电压高达 180V，并且具备强大的浪涌电流能力，确保在恶劣环境下也能稳定运行。
型号：RT15N180F500CT
类型：N 沟道增强型 MOSFET
VDS（漏源极耐压）：180V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：50mΩ @ VGS=10V
IDS（连续漏极电流）：24A
VGS（栅源极电压）：±20V
Qg（栅极电荷）：39nC
EAS（雪崩能量）：7.7J
fSW（最大开关频率）：500kHz
封装形式：TO-220FP
RT15N180F500CT 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够显著降低传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高达 500kHz 的工作频率，非常适合高频应用场景。
3. 高雪崩能量承受能力，提高了器件的可靠性与鲁棒性。
4. 较小的栅极电荷 Qg，可以减少驱动功耗并进一步提升效率。
5. 内置反向二极管，提供额外保护功能。
6. 热稳定性强，能够有效处理高功率密度环境下的热量累积问题。
该 MOSFET 器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制与驱动电路。
3. UPS 不间断电源系统。
4. 光伏逆变器及储能设备。
5. 各类工业自动化设备中的功率转换部分。
6. 笔记本适配器以及其他消费电子产品的电源管理模块。
RT15N180F500C, IRF540N, FDP5800
